加利福尼亚大学圣塔芭芭拉分校的一个研究小组已经发布了一种制造不含荧光粉的白色LED的新方法。诺贝尔奖获得者和蓝白色LED先锋中村修二(Shuji Nakamura)是其中的合著者。
白光LED通常由带有黄色荧光粉的蓝光LED制成。混合光(芯片发出的蓝色和荧光粉发出的黄色)是白色。但是磷光体转换的白光LED通常会损失能量并降低热稳定性。另一方面,无磷LED很难制造。 UCSB团队的创新是一种更简单的新方法,可实现直接在GaN衬底上生长的高效偏振白光LED。
该团队在半极性块状GaN衬底上采用了顶部蓝色QW(量子阱)和底部黄色QW,以生产无荧光粉的白色InGaN LED,其峰值波长在蓝色为427 nm,在黄色为560 nm,输出功率为0.9mW 。
研究人员认为,效率更高的无磷LED有望作为背光源,并为可见光通信中使用的µLED提供可能性。